与传统串行EEPROM或闪存不同串口mram芯片MR25H40CDCR在读写时序上完全兼容这些常见存储器但有一个关键优势——没有写入延迟。普通串行存储器在两次写入之间需要等待而Everspin串口mram芯片MR25H40CDCR支持随机访问读取和写入可以任意穿插无需额外等待周期非常适用于工业控制和汽车电子等对芯片的可靠性要求极高的领域。MR25H40CDCR提供AEC-Q100 1级认证选项能在宽温度范围内稳定工作。其数据非易失性可保持20年即便掉电也不会丢失。此外芯片拥有无限读写寿命不再担心因频繁擦写导致存储器失效。Everspin串口MRAM支持高达40MHz的读写速度满足大多数实时数据记录需求。同时串口mram符合RoHS环保标准封装兼容现有串行闪存和EEPROM的引脚布局可直接替换升级。使用Everspinmram芯片MR25H40CDCR时需注意读取状态寄存器RDSR命令不能紧跟在读命令之后否则会输出错误数据。正确做法是在读命令后插入另一个命令或者连续发送两个RDSR命令第二个命令即可返回正确的状态寄存器值。由于芯片本身没有写入延迟状态寄存器中的“写入进行”位位0不会被使用。Everspin高性能串口mram芯片型号MR25H40CDCR•提供AEC-Q100 1级合格选项•40MHz读写速度无限续航•数据非易失性可保留20年•断电时保留数据。•符合RoHS标准的封装。•工作电压3.3v•封装提供8引脚DFN或8引脚DFN•无写入延迟•块写保护•快速简单的SPI接口这款Everspin串口MRAM适用于数据采集系统、工业PLC、行车记录仪、医疗设备等需要频繁、快速存取小量数据且对引脚数量敏感的场景。Everspin串口mram芯片既保留了传统串行存储器的简单接口又消除了写入等待和寿命限制两大瓶颈。如需进一步了解该产品数据或样品申请请搜索英尚微电子获取专业服务。